本篇文章给大家谈谈p型半导体非简并条件，以及p型半导体的简并化条件对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、P型半导体和N型半导体怎么区分?
• 2、P型半导体和N型半导体如何形成的?
• 3、怎么判断简并半导体?什么是简并半导体?
• 4、p型半导体和n型半导体区别

P型半导体和N型半导体怎么区分?

导电特性不同 P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

n-type和p-type半导体区别为：是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。是多数载流子不同 n-type半导体：n-type半导体的多数载流子是电子。p-type半导体：p-type半导体的多数载流子是空穴。

N型半导体和P型半导体异同点如下：相同点 半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

P型半导体和N型半导体如何形成的?

1、形成原因不同 在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。

2、在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

3、N型半导体：掺杂元素： N型半导体通常是由硅等半导体材料与五价元素（如磷、砷等）的掺杂形成的。这些五价元素称为“杂质”或“受主”。

怎么判断简并半导体?什么是简并半导体?

1、简并半导体(degenerate semiconductor)是杂质半导体的一种，它具有较高的掺杂浓度，因而它表现得更接近金属。对一般的掺杂情况(杂质浓度小于10的18次方 )常温下，通常的半导体都属非简并半导体。

2、简并半导体的载流子浓度：对于n型半导体，施主浓度很高，使费米能级接近或进入导带时，导带底附近底量子态基本上已被电子占据，导带中底电子书目很多， 的条件不能成立，必须考虑泡利不相容原理的作用。

3、PN结采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。

4、量子力学中经常出现这种概念，简单的说就是系统可能有多个能级，而有的能级对应的状态波函数不止一个，这种现象叫简并。

5、一个是非简并的，一个是简并的。就这么简单。

6、霍尔效应此后在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到了广泛的应用，比如测量磁场的高斯计。

p型半导体和n型半导体区别

导电特性不同 P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

P型半导体：也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。

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