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判断半导体载流子类型（半导体载流子怎样形成电流）

更新时间：2023-11-21 20:42:13 点击：997

今天给各位分享判断半导体载流子类型的知识，其中也会对半导体载流子怎样形成电流进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！

本文目录一览：

如何用霍尔效应判断n型半导体和p型半导体

当Is与Im都为正值时，霍尔电压Vh为正则为p型。为负是n型。霍尔效应在1879年被物理学家霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的电磁感应完全不同。

首先要学会根据电流和磁场判断电场力的方向，电场力的方向即半导体中载流子的受力方向。看图：释义：左图是N型半导体，右图是P型半导体。

上表面接黑表笔。然后将I，B均调为正，观察电压表的正负。电场方向，由电势高处指向电势低处。N型半导体，电子导电，电子向上板运动，上板电势低，电场方向向上；，P型半导体，空穴导电上板电势高，电场方向向下。

通常是用霍尔效应来测量。霍尔效应是指在磁场中，通电导体会出现横向电压的现象，详细可以到百度百科去查。多子为电子的n型和多子为空穴的p型半导体，由于载流子的正负属性不同，会使横向电压方向不同，从而可以测出类型。

在镓砷中，常见的N型掺杂元素是硅（Si）和硫（S）。

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。

这些材料就变成了半导体。因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型半导体。

n-type和p-type半导体区别为：是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。是多数载流子不同 n-type半导体：n-type半导体的多数载流子是电子。p-type半导体：p-type半导体的多数载流子是空穴。

因为N型半导体载流子是电子，故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。

半导体中的 P 型和 N 型是指掺杂有不同类型杂质的半导体材料。在晶体管和其他半导体器件中，这些掺杂区域被用来创建 PN 结，这是一种电子器件，它能够控制电子流。

N型半导体和P型半导体的区别是：N型半导体是在硅材料里掺入微量三价元素，它们形成共价键后由于缺少一个电子而形成空穴型的半导体。

1、N型半导体和P型半导体异同点如下：相同点半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

2、利用电子和空穴，半导体的两种载流子。电子获得足够的能量，跃迁到电子导带层，成了自由电子，显示负电荷。

3、载流子：运载电荷的粒子称为载流子。导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。

4、载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。

5、半导体的导电机制是电子和空穴导电（电子和空穴均称为载流子），其中电子是实际存在的，而空穴是一个物理模型，不是实际存在的。

6、半导体有什么用？自然界的物质按导电能力可分为导体、绝缘体和半导体三类。半导体材料是指室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。

以n型半导体为例，其中的多数载流子电子是由于在半导体中掺杂N型杂质（例如磷、砷、锑等）产生的。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

P型和N型半导体都属于杂质半导体，掺杂过程涉及向本征半导体添加掺杂物原子，从而在达到热平衡的过程中改变电子和空穴这两种载流子的分布。根据杂质半导体中主要影响力的载流子，可以将半导体分为P型半导体和N型半导体。

P型半导体的“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。N型半导体的“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。

多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。少数载流子：P型半导体中，自由电子为少数载流子，简称少子。

当半导体的温度升高（例如室温300K）或受到光照半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。

半导体材料中的载流子可以分为两种类型：多数载流子和少数载流子。多数载流子是指在半导体中数目占绝大多数的载流子，例如在N型半导体中为自由电子，在P型半导体中为空穴。

自由电子、空穴。半导体中有两种载流子分别是自由电子，空穴。P型半导体的多数载流子是空穴，N型半导体的多数载流子是自由电子。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

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