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本文目录一览：

• 1、p型和n型半导体转换率是多少
• 2、N型半导体和P型半导体的问题
• 3、什么是p型半导体,n型半导体,p

p型和n型半导体转换率是多少

1、5年W.斯皮尔等解决了非晶硅也能掺杂成为N型或P型的技术。1976年就有非晶硅太阳能电池问世，其转换效率已达13%—14%。

2、PN结迁移率如下：PN结迁移率是指在P-N结中，电子从n型半导体迁移到p型半导体的速率。它取决于电子和空穴的自由路径长度，以及他们在半导体中的迁移率。此外，PN结迁移率还受发射和吸收电势的影响，这是由PN结结构决定的。

3、N型和P型半导体之间的主要区别在于它们的电导率和电荷载流子。半导体的电导率由其电荷载流子的密度和迁移率决定。在N型半导体中，掺杂过程引入的额外电子是主要的电荷载流子。

4、导电特性不同 P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

5、n-type半导体：在相同常温温度下，n-type半导体的电子更惰性，电导率比p-type半导体的电导率要差。p-type半导体：在相同常温温度下，p-type半导体的电子更活跃，电导率比n-type半导体的电导率要好。

N型半导体和P型半导体的问题

形成原因不同 在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。

P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

N型和P型半导体之间的主要区别在于它们的电导率和电荷载流子。半导体的电导率由其电荷载流子的密度和迁移率决定。在N型半导体中，掺杂过程引入的额外电子是主要的电荷载流子。

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。形成 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

什么是p型半导体,n型半导体,p

所以这种半导体中，电子载流子的数目很多，主要kao电子导电，叫做电子半导体，简称n型半导体。【p型半导体】“p”表示正电的意思。在这种半导体中，参与导电的主要是带正电的空穴，这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

半导体中的 P 型和 N 型是指掺杂有不同类型杂质的半导体材料。在晶体管和其他半导体器件中，这些掺杂区域被用来创建 PN 结，这是一种电子器件，它能够控制电子流。

P型半导体：掺杂元素： P型半导体通常是由硅等半导体材料与三价元素（如铝、硼等）的掺杂形成的。这些三价元素称为“杂质”或“施主”。

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