来源:半导体
更新时间:2023-11-18 21:49:11 点击:994
本篇文章给大家谈谈p型半导体几价,以及p型半导体价带位置怎么算对应的知识点,希望对各位有所帮助,不要忘了收藏本站喔。
本文目录一览:
导电特性不同 P型半导体的导电特性:它是靠空穴导电,掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强。N型半导体的导电特性:掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能也就越强。
n-type和p-type半导体区别为:是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。是多数载流子不同 n-type半导体:n-type半导体的多数载流子是电子。p-type半导体:p-type半导体的多数载流子是空穴。
P型半导体一般指空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。
1、P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。
2、P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。多数载流子:P型半导体中,空穴的浓度大于自由电子的浓度,称为多数载流子,简称多子。
3、P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。 在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。
4、P型半导体又叫空穴型半导体,在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼、铝),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。由于硼或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。
5、而P型半导体是在硅材料里掺入微量的五价元素,它们形成共价键后还多出一个电子而形成电子型半导体。
6、半导体的掺杂,以硅为例。一般掺入三价的原子(如硼)使之成为P型半导体,或掺入五价的原子(如磷)使之成为N型半导体。从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的。
在本征半导体中掺入微量的五价元素,形成n型半导体。本征半导体中掺入微量的五价元素,构成N型半导体。每个杂质原子都能提供一个自由电子,使半导体中的自由电子数量大大增加,导电能力也大大加强。
在本征半导体中加入五价元素可形成n型半导体。本征半导体中加入磷、锑、砷元素可形成N型半导体,加入的都是5价元素。
在本征半导体中掺入5价的元素可以得到n型半导体。例如,现在用的最多的硅本征半导体,掺入5价的元素磷或锑都可以,使其转变为n型半导体。
n型半导体是在本征半导体中加入微量的五阶元素构成的。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,如硅、锗、硒等,它们的电阻率通常也介于导体和绝缘体之间。
在本征半导体中掺入微量()价元素,形成N型半导体。
本征半导体中加入磷、锑、砷元素可形成N型半导体,加入的都是5价元素。
1、P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。多数载流子:P型半导体中,空穴的浓度大于自由电子的浓度,称为多数载流子,简称多子。
2、N型半导体:也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。
3、P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体;N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
4、P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。
P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。多数载流子:P型半导体中,空穴的浓度大于自由电子的浓度,称为多数载流子,简称多子。
空穴型半导体又称P型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。
P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体;N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
P型半导体一般指空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。形成 在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。
1、P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。
2、本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体,其多子为空穴。表示空穴可以等效成带正电的微粒。是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子。
3、在本征半导体中,加入掺杂元素可以改变其导电性质,其中掺杂了特定元素后可以形成p型半导体。能带结构。掺杂三价元素之后,半导体材料的能带结构发生变化。
4、在现代半导体工业中,一般加入第三族(ⅢB族)元素中的硼元素使本征半导体形成p型半导体。
5、p型半导体掺入3价元素。是硼、铟、镓等。在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。
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