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什么是P型半导体？

1:P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体,N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子 P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子

3:P型半导体中多数载流子为空穴，空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多数是自由电子，自由电子是带负电荷载流子。

什么是p型半导体？

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

1特点

半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。 “P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主

数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。[

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

2形成原理

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。

P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

特点:掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

N型.P型半导体中的载流子各是什么？

N型半导体，在本征半导体中掺入五价元素的杂质(砷、锑或磷)，就可以使晶体里的自由电子浓度大大增加。因为五价元素的原子有五个价电子，当它与周围的四个硅(或锗)原子组成四个共价键时，还余下一个价电子，从而产生一个自由电子。

P型半导体，在本征半导体中掺入三价元素的杂质(铟、镓或铝)，就可以使晶体里的空穴浓度大大增加。因为三价元素的原子只有三个价电子，当它与周围的四个硅(或锗)原子组成四个共价键时，必然缺少一个价电子，形成一个空位置，相邻的四价元素原子上的价电子很容易来填补这个空位置，从而产生一个空穴。

自由电子和空穴就成为N型、P型半导体中的载流子。

到此，以上就是小编对于p型半导体大全的问题就介绍到这了，希望介绍关于p型半导体大全的3点解答对大家有用。