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什么是储能半导体？

储能半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。

由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。

硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。

中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999%～99.9999999%) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。

以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。

储能元件，在交流电路中,平均功率为0,也就是无功率消耗,无能量的消耗,只有能量的转换.所以称为储能元件.

最常见的储能元件是电容和电感.及化学电池

含有储能元件的电路,从一种稳态变换到另一种稳态必须要一段时间,这个变换过程就是电路的过渡过程.产生过渡过程的原因是能量不能跃变. 电路换路时的初始值可由换路定律来确定.

半导体是如何工作的？

半导体就是集成电路，可以理解为传统电路的微缩版，工作原理都差不多！只不过传统电路的元器件、线路很大很占地方。传统的具有复杂功能的电路很庞大，而集成电路则多是以二氧化硅为衬底通过物理气相沉积、化学气相沉积、光刻、蚀刻、平坦化等诸多复杂工艺制造组成金属线宽只有几纳米肉眼看不见的完整电路来实现电器的功能。整个电路也就指甲盖大小却可以实现传统电路所有功能。

什么是本纪半导体？

没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。更通俗地讲，完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。

　　在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论），受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conduction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子－空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。

什么叫理想半导体和实际半导体？

（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。

（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。

（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。

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