大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于氮化镓类半导体的问题，于是小编就整理了2个相关介绍氮化镓类半导体的解答，让我们一起看看吧。

氮化镓和硅基区别？

这两种材料的区别如下：(1)物质不同：氮化镓是一种非金属氮化物。然而，硅基是一种二氧化硅材料。

(2)分子量不同：氮化镓的分子量大，然而，硅基的分子量较小。

(3)用途不同：氮化镓是半导体材料，然而，硅基则是晶体管基体材料。

氮化镓本身是第三代的半导体材料,许多特性都比传统硅基半导体更强。 氮化镓相比传统硅基半导体,有着更加出色的击穿能力,更高的电子密度和电子迁移率,还有更高的工作温度。

由于GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度，因此，电源的整体尺寸可能显著减小，可以减少对热管理组件的需求，如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件，以及增加的开关频率，使得电源不仅更轻，而且更紧凑。

区别在于：

硅基的氮化镓比碳基的氮化镓在线性度上有不同的显现，可对基站的复杂信号进行数字调制。 

在产能上，碳基氮化镓由于材料特性，不支持大的晶圆，而硅基氮化镓材料支持大晶圆的特性，有利于电路的扩展和集成，未来有可能在相关领域取代碳化硅基。 

碳基氮化镓器件是以碳化硅（SiC）做衬底。硅基氮化镓工艺的衬底采用硅基。

硅基氮化镓器件工艺能量密度高、可靠性高，Wafer可以做的大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸，晶圆的长度可以拉长至2米，无论在产能和成本方面，硅基氮化镓器件有优势些。

中国能生产氮化镓半导体吗？

能。氮化镓作为第三代半导体材料方面的佼佼者，在最近几年中国正在大力发展集成电路产业的时候收到重点关注。自2015年5月国务院印发《中国制造2025》、2016年9月科技部立项，到2018年7月国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布至今，国内已有多条生产/中试线投入使用，并在建多个与第三代半导体相关的研发中试平台。

到此，以上就是小编对于氮化镓类半导体的问题就介绍到这了，希望介绍关于氮化镓类半导体的2点解答对大家有用。